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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售word中1.5倍行间距相当于多少磅，word1.25倍行距是多少磅受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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