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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络吃斑鸠能提高性功能吗，男人吃斑鸠补性功能吗(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自(zì)中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(niá吃斑鸠能提高性功能吗，男人吃斑鸠补性功能吗n)约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ吃斑鸠能提高性功能吗，男人吃斑鸠补性功能吗)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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