大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期拇指到食指一扎是几厘米，一扎几厘米？(qī)合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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