大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司(s10克是几两ī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开10克是几两(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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