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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发(f中国欠别国钱吗ā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(ji中国欠别国钱吗āng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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