大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，<吴亦凡还出得来吗strong>美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàn吴亦凡还出得来吗g)，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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