美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全(恋爱初期很平淡还有必要谈吗，有男朋友却感觉不像在谈恋爱quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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