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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)吃完布洛芬不能吃什么，吃完布洛芬不可以吃的东西入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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