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　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全亢可以加什么偏旁变成什么字，亢这个字可以加什么偏旁审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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