大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影中国有多少万大军，中国多少万兵力响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù中国有多少万大军，中国多少万兵力)增长(zhǎng)。

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