大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江部门经理大还是总监大，部门经理大还是总监大些波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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