大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、S怀瑾握瑜,嘉言懿行，嘉言懿行 怀瑾握瑜含义K 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(b怀瑾握瑜,嘉言懿行，嘉言懿行 怀瑾握瑜含义ěn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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