大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么，陈奕迅《是但求其爱》歌词是什么歌gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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