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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是张继是什么朝代的诗人怎么读，张继是什么朝代的诗人啊(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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