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揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音rong>

  据(jù)网信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

  审(shěn)查(chá)发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患,对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn),影响我国国家安(ān)全。为此,网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá),目的(de)是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全(quán),是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放(fàng),只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险,维护(hù)国家安全,依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

  半导体突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头,也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì),江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制,或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤(zhò揆诸当下的意思是什么,揆诸当下读音u),同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露,薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān),设备国产化进程(chéng)加速(sù),看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(薄(báo)膜沉积)等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升,以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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