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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室(s对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么hì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美(m对角线相等的四边形是什么四边形，对角线相等的平行四边形是什么ěi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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