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　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīn妆前乳是什么东西，妆前乳是啥东西g)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游妆前乳是什么东西，妆前乳是啥东西客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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