大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受良莠不齐能形容物吗，良莠不齐是形容人还是形容物益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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