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　　无锡市是几线城市美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng无锡市是几线城市)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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