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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù什么是自主招生初升高，什么是自主招生考试)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经什么是自主招生初升高，什么是自主招生考试(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm什么是自主招生初升高，什么是自主招生考试甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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