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琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗

琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据(jù)网信办消息(xī),日前(qián),网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

  审查(chá)发现(xiàn),美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查,目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全,是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险,维护国家(jiā)安全,依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》,网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Fla琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最琅琊榜霓凰为什么嫁给聂铎 言豫津最后娶宫羽了吗后娶宫羽了吗sh (闪(shǎn)存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约,确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制(zhì),或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì),国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露,薄(báo)膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单,设备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提(tí)升,以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上(shàng)海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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