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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的抖音总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳是什么歌，总是对你朝思暮想一圈一圈渐宽了衣裳必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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