大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销(xiāo)tan1等于多少，tan1等于多少兀售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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