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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对高中毕业时一般都多大年龄啊 高中毕业属于什么学历美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。<高中毕业时一般都多大年龄啊 高中毕业属于什么学历/strong>存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。