大(dà)家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和(hé)第(dì)三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受新冠密接人员需要隔离多少天最新政策，新冠密接人员要隔离多久(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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