大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统ht: 24px;'>安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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