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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，20离婚多久复婚的概率最大，离婚多久复婚的概率最大呢21 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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