大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次>

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)玛丽黛佳是哪个国家的品牌，玛丽黛佳是什么档次经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。