大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《风雨兼程下一句是什么持之以恒意思，风雨兼程下一句是什么这一生网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè风雨兼程下一句是什么持之以恒意思，风雨兼程下一句是什么这一生)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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