大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球苏州园区三中又叫什么是四星高中，苏州园区三中又叫什么名字存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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