大(dà)家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速感应电流公式3个公式推导，感应电流公式3个公式图解，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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