大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江个子矮可以抱着做，矮个子抱起来做波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设个子矮可以抱着做，矮个子抱起来做(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线个子矮可以抱着做，矮个子抱起来做(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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