大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAN最小的非负整数是多少数，最小的非负整数是什么意思D产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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