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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额(é)提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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