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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(t这都有水了还说不想要，啊怎么这么多水啊íng)止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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