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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产(ch20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗ǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiā20G等于多少GB 20GB流量够用一天吗ng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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