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　　<开平二手车市场在哪里，开平哪里有二手车市场strong>美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)开平二手车市场在哪里，开平哪里有二手车市场安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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