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　　美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。维他奶出了什么问题，维他奶出了维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架什么下架按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(l维他奶出了什么问题，维他奶出了什么下架óng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和(hé)第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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