大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(j部门经理大还是总监大，部门经理大还是总监大些īng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立(部门经理大还是总监大，部门经理大还是总监大些lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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