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刽子手,刽子手念gui还是念kuai读音 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息。

  美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,刽子手,刽子手念gui还是念kuai读音网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

  此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查,目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全,是(shì)维护(hù)国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全,防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn),维护(hù)国家安(ān)全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu),也是全(quán)球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降,至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

<刽子手,刽子手念gui还是念kuai读音p>  分析称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生(shēng)更多设备需求。据刽子手,刽子手念gui还是念kuai读音(jù)东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美(měi)国限制名单,设备国产化进程加速,看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额提(tí)升,以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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