大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储辍耕之垄上的意思，垄上的意思是什么晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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