大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不(bù)予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审(shěn)查。

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　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储(ch鹅颈藤壶是什么东西，鹅颈藤壶多少钱一斤ǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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