大(dà)家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(mě进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句i)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn进退维谷的意思解释，进退维谷的意思和造句)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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