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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内2022年中国人平均身高是多少，中国最新身高统计数据关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办2022年中国人平均身高是多少，中国最新身高统计数据法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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