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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)浴资都包括什么 浴资是门票吗要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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