大家好，来看(kàn)一则(zé)突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络(美白精华一次用多少量，美白精华一次用多少量377 24px;'>美白精华一次用多少量，美白精华一次用多少量377luò)安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三(sā美白精华一次用多少量，美白精华一次用多少量377n)大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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