大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。<水浒传史进的主要事迹概括，水浒传史进的主要事迹有哪些/p>

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(水浒传史进的主要事迹概括，水浒传史进的主要事迹有哪些zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)水浒传史进的主要事迹概括，水浒传史进的主要事迹有哪些名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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