大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。202云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人2年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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