大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害嘴巴含胸的感觉知乎国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quá嘴巴含胸的感觉知乎n)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显(xi嘴巴含胸的感觉知乎ǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第(dì)三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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