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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(m一立方分米等于多少升 一立方分米等于多少斤ěi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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